Kioxia Corporation, leader mondial des solutions de mémoire, a annoncé aujourd’hui que ses articles de recherche ont été acceptés pour être présentés à l’IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024, une prestigieuse conférence internationale qui se tiendra à San Francisco, aux États-Unis, du 7au 11 décembre.
Ce communiqué de presse contient des éléments multimédias. Voir le communiqué complet ici : https://www.businesswire.com/news/home/20241021895844/fr/
Memory Hierarchy (Graphic: Business Wire)
Kioxia s’engage dans la recherche et le développement de la mémoire à semi-conducteurs, indispensable aux progrès de l’IA et à la révolution numérique de la société. Au-delà de sa technologie de mémoire flash tridimensionnelle (3D) de pointe, BiCS FLASH™, Kioxia excelle dans la recherche sur les solutions de mémoire émergentes. L’entreprise s’efforce constamment de répondre aux besoins des futurs systèmes informatiques et de stockage grâce à des produits de mémoire innovants.
Les systèmes informatiques actuels utilisent la DRAM, un dispositif de mémoire primaire permettant au CPU de rapidement traiter les données, ainsi que la mémoire flash pour stocker de grandes quantités de données. Kioxia est à la tête de la recherche et du développement de la Storage Class Memory (SCM), une solution mémoire positionnée entre la DRAM et la mémoire flash dans la hiérarchie des mémoires à semi-conducteurs, conçue pour gérer des volumes de données plus importants que la DRAM et à une vitesse supérieure à celle de la mémoire flash.
Lors de l’IEDM, Kioxia dévoilera des technologies de pointe adaptées à chacune de ces trois couches de mémoire à semi-conducteurs : (1) un nouveau type de DRAM utilisant des semi-conducteurs à oxyde, axé sur la réduction de la consommation d’énergie, (2) la MRAM adaptée aux grandes capacités pour les applications SCM, et (3) une nouvelle structure de mémoire flash 3D avec une densité de bits et des performances élevées.
Technologies de mémoire émergentes :
1. DRAM à transistor à canal semi-conducteur à oxyde (OCTRAM) : Cette technologie a été développée conjointement par Nanya Technology et Kioxia Corporation. Les entreprises ont mis au point un transistor vertical qui améliore l’intégration des circuits en perfectionnant le processus de fabrication. Elles ont réussi à obtenir une fuite de courant extrêmement faible en exploitant les propriétés du transistor utilisant un semi-conducteur à oxyde. Cela pourrait potentiellement réduire la consommation d’énergie dans une large gamme d’applications, y compris les systèmes de communication IA et post-5G, ainsi que les produits IoT.
Titre de l’article : DRAM à transistors à canal oxyde-semiconducteur (OCTRAM) avec architecture 4F2 (Numéro de l’article : 6-1)
2. Technologie MRAM à grande capacité de type Crosspoint : Cette technologie a été développée conjointement par SK Hynix Inc. et Kioxia Corporation. Grâce à elle, les entreprises ont réalisé des opérations de lecture/écriture de cellules à l’échelle la plus petite jamais atteinte, soit un demi-pas de 20,5 nanomètres pour la MRAM, en combinant une technologie cellulaire qui associe des sélecteurs adaptés aux grandes capacités à des jonctions tunnel magnétiques, et en appliquant une technologie de traitement fin pour les réseaux de type point de croisement. La fiabilité des mémoires tend à se dégrader au fur et à mesure de la miniaturisation des cellules. Les entreprises ont mis au point une solution potentielle en utilisant une nouvelle méthode de lecture qui exploite la réponse transitoire des sélecteurs et en réduisant la compétence parasite des circuits de lecture. Cette technologie a des applications pratiques pour l’intelligence artificielle et le traitement des données volumineuses.
Titre de l’article : Fonctionnement fiable de la mémoire avec un faible taux de perturbation de la lecture dans la plus petite cellule 1Selector-1MTJ du monde pour une MRAM à points croisés de 64 Gb (Numéro de l’article : 20-1)
3. Technologie de mémoire 3D de nouvelle génération avec structure d’empilement horizontal des cellules : Kioxia a développé une nouvelle structure 3D pour améliorer la fiabilité et prévenir la dégradation des performances des cellules de type NAND. La dégradation des performances se produit généralement lorsque le nombre de couches empilées augmente dans les structures conventionnelles. La nouvelle structure dispose les cellules de type NAND horizontalement en les superposant par rapport à la structure conventionnelle qui dispose les cellules verticalement. Cette structure permet de réaliser une mémoire flash 3D avec une densité de bits élevée, une fiabilité accrue et un coût réduit.
Titre de l’article : Évolutivité exceptionnelle de la mémoire flash avancée à canal horizontal pour les futures générations de mémoires flash 3D (Numéro de l’article : 30-1)
Pour en savoir plus sur IEDM, consultez : https://www.ieee-iedm.org/
Avec pour mission de faire « progresser le monde grâce à la mémoire », Kioxia souhaite ouvrir une nouvelle ère avec la technologie de la mémoire et continuera à promouvoir la recherche et le développement technologique afin de soutenir l’avenir de la société numérique.
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À propos de Kioxia
Kioxia est un leader mondial des solutions de mémoire, consacré au développement, à la production et à la vente de mémoires flash et de disques durs à semi-conducteurs (solid-state drives, SSD). En avril 2017, son prédécesseur Toshiba Memory s’est séparé de Toshiba Corporation, la société qui a inventé la mémoire flash NAND en 1987. En matière de mémoire, Kioxia vise à édifier le monde en proposant des produits, services et systèmes qui offrent davantage de choix pour les clients et créent plus de valeur basée sur la mémoire, pour la société. La technologie de mémoire flash 3D innovante de Kioxia, BiCS FLASH™, façonne l’avenir du stockage à haute densité dans les applications, comme les centres de données, les disques à semi-conducteurs (solid-state drive, SSD), les ordinateurs individuels (Personal Computer, PC), les produits automobiles et les smartphones les plus sophistiqués du marché.
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