Depuis maintenant 5 mois dans ses laboratoires de Zurich IBM teste une nouvelle technologie de mémoire, dite à changement de phase (multi-bit PCM). Elle peut stocker plusieurs bits de données par cellule et permet d’écrire les données en 10 microsecondes, c’est à dire 100 fois plus vite qu’avec la technologie flash. Le chiffre de 10 millions de cycles d’écriture est d’ores et déjà annoncé (le standard supporté par des produits de classe professionnelle étant aujourd’hui de 30 000 cycles).
Par ailleurs, les chercheurs d’IBM sont également parvenus à contourner le problème des capacités de résistance électrique de la mémoire flash qui a tendance à s’estomper dans le temps (grâce à des techniques avancées de modulation de la résistance).
La mémoire multi-bit PCM aurait vocation, selon nos confrères de Silicon.fr, à apporter des solutions à la fois plus économiques, plus fiables et plus efficaces à l’univers du stockage professionnel (cloud, data center…), ainsi qu’à celui des terminaux mobiles (smartphones et tablettes).
Article source de Silicon.fr : http://www.silicon.fr/ibm-met-au-point-une-memoire-100-fois-plus-rapide-que-la-flash-55546.html
