Kevin Kilbuck, directeur marketing de Micron,a confirmé ce 11 août que dans le cadre de la co-entreprise créée en 2005 avec Intel (IMFT, IM Flash Technologies), les deux partenaires vont commencer à produire dès le quatrième trimestre de cette année des mémoires de type flash MLC à 3bits par cellule (3 bpc, contre 2 précédemment) et avec une finesse de 34 nm (contre 50 nm jusqu’alors). Des mémoires que l’on devrait retrouver par la suite (sans doute d’ici début 2010) sur le marché, dans des clés USB de grande capacité et des disques SSD. Avec une telle finesse de gravure, pour une surface se 172 mm², ces nouvelles mémoires sont parmi les plus miniaturisées jamais conçues dans le monde. De quoi concurrencer ardemment les compétiteurs dans ce domaine, que sont principalement le coréen Samsung et l’américain SanDisk. Parmi les questions susceptibles de rester en suspens, se trouve du reste la revendication possible par ce dernier de brevets MLC à 3 bits par cellule.
Mais pas de quoi inquiéter en apparence K.Kilbuck qui, dans le Wall Street Journal, indique disposer ‘d’éléments solides‘ afin de justifier la propriété intellectuelle de la joint venture à ce propos. Affaire à suivre…
